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《科创板日报》12日讯，SK海力士近日通过发表在IEEE（电气与电子工程师协会）人人半导体大会上的论文，建议了一种新式半导体结构。该结构接受了HBM和HBF两种时期，公司将8个HBM3E和8个HBF置于Blackwell旁进行实践，成果标明，与单独使用HBM比较，这种建树不错将每瓦盘算推算性能晋升高达2.69倍。 (韩国经济日报)