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外洋固态电路会议（ISSCC）是人人界限最大的半导体集成电路研发遵循外洋会议，将于2026年2月15日至19日在好意思国加利福尼亚州旧金山的万豪侯爵旅舍再次举行。本文中，咱们将先容一些值得见原的芯片：
AMD 最新 GPU“MI350”和 IBM 的 AI 加快器“Spyre”
当先，咱们来看一些值得见原的处理器发布信息。咱们重心先容了五项研发遵循。它们皆是用于东说念主工智能应用的芯片或封装（模块），举例GPU和加快器。
AMD 将对其最新一代 AI GPU——Instinct MI350 系列进行本领概。该 GPU 选定 CDNA4 架构。四个 3nm 工艺的计算芯片 (XCD) 水平胪列在一个 6nm 工艺的输入/输出芯片 (IOD) 之上。堆叠的芯片组（芯片组）与主内存 HBM 模块封装在统一封装内。与上一代居品比较，表面峰值性能提高了 1.9 倍，HBM 输入/输出带宽和内存容量（在交流封装面积下）均提高了 1.5 倍。
韩国Rebellions公司拓荒了一种基于芯片组的大界限AI推理子系统该子系统选定UCIe条约完毕芯片组之间的相连（网状相连），传输速率异常16Gbps。子系统由4nm工艺节点神经网罗处理器（NPU）、HBM3E模块、硅集成电容等构成。在Llama 3.3版块（700亿参数）大界限话语模子上践诺单个2k/2k输入/输出序列时，性能达到56.8 TPS（每秒词元数）。
IBM 将展示其名为“Spyre”的可膨胀、高能效 AI 加快器的洽商遵循。Spyre 专为推理而优化，将多个子系统集成到一张单槽 PCIe 卡上。它具备先进的电源顾问功能，守旧低精度浮点数据体式，并配备高蒙眬量内存子系统。该加快器芯片选定 5nm CMOS 工艺制造，硅面积为 330 泛泛毫米，包含 260 亿个晶体管。据称，其蒙眬量比最新 GPU 朝上 32%，能效是后者的两到三倍。
联发科将展示“MADiC”，这是一款生成式扩散加快器，在驱动扩散（ConvNet）时，其性能可达7.4 TOPS/mm²和17.4 TOPS/W。该加快器选定3nm工艺制造，硅单方面积仅为0.338 mm²，专为边际建筑上的生成式图像裁剪而拓荒。
NVIDIA 拓荒了名为“ALPhA-Vision”的及时图像处理器，其东说念主脸检测蔓延仅为 787 微秒，功耗仅为 4.6 毫瓦（每秒 60 帧），何况长期处于开启气象。该芯片选定 16 纳米工艺制造，芯单方面积为 4.20 泛泛毫米。东说念主脸检测准确率达到 99.3%，但仍有提高空间。
高密度NAND闪存，密度为37.6Gbit/mm²，合适HBM4轨范的高速大容量存储器
接下来是一项对于存储器的伏击公告。公告中先容了五项研发遵循。第一项是对于3D NAND闪存的，其余四项是对于DRAM的。
闪迪和铠侠蚁合拓荒出存储密度高达37.6 Gbit/mm²的3D NAND闪存。该芯片的存储容量高达2 Tbit，字线层数为332层，选定4bit/单位的多值存储口头。存储单位阵列被隔离为六个平面，以提高读写性能。写入速率高达85 MB/s，读取蔓延仅为65 μS。
三星电子将发布一款合适HBM4轨范的DRAM模块，其内存容量为36GB（288Gbit），数据传输速率高达3.3TB/s。该模块由12颗选定第六代10nm工艺制造的24Gbit DRAM芯片（中枢芯片）堆叠而成，并通过TSV（硅通孔）相连。输入/输出数据线数目增多至2048条，是上一代HBM（HBM3E）的两倍。底层芯片（逻辑芯片）选定4nm FinFET工艺制造。每个输入/输出通说念的数据传输速率高达13.2Gbps。如斯高的传输速率收成于中枢芯片的自顺应体偏置和各通说念的自动校准。
SK海力士拓荒了一款16Gbit LPDDR6 SDRAM，其每个输入/输出引脚的数据传输速率高达14.4Gbps。该芯片选定1c代（1γ代）工艺节点制造，并会通了多项关键本领，举例LPDDR6独到的低功耗模式、基于LDO（低压差线性稳压器）的写入时钟树、可在无端接和片上端接之间动态切换的写入操作、高速片选结果以及系统元模式。
三星电子将推出一款16Gbit LPDDR6 SDRAM，其每个I/O引脚的数据传输速率高达12.8Gbps。它守旧12DQ子通说念的宽NRZ数据I/O，具备每行激活计数功能（以退守行锤击故障）和元数据决策。
SK海力士拓荒了一款24Gbit GDDR7 DRAM，每个输入/输出引脚的数据传输速率高达48Gbps（演示文稿编号15.9）。该居品面向中端AI推理当用，具有对称双通说念模式驱动、时钟旅途优化和RAS功能等特质。
26mW 低功耗锗硅图像传感器和 2 亿像素 CMOS 图像传感器
接下来是引东说念主良好标图像传感器发布会，重心先容了四项研发遵循，包括守旧汽车高等驾驶系统的激光雷达领受器、用于 AR/VR 头显的低功耗传感器阵列以及用于 8K 视频录制的高分辨率图像传感器。
意法半导体（STMicroelectronics）将展示一款激光雷达领受器，其视场角（FoV）为54°×42°，分辨率为52×42通说念，帧速率为60帧/秒（fps）。该器件选定3D堆叠本领和65/40nm CMOS工艺，集成了220×198背照式SPAD阵列、像素内时代数字移动（TDC）电路、用于距离测量（ToF）和强度测量的双计数器以及片上存储器。芯片和封装内均单独装置了25V输出升压电路。该领受器功耗为153mW（60fps），测量距离可达9.6米，距离测量舛讹小于1厘米。
索尼半导体处置决策公司拓荒了一款基于锗硅（Ge-on-Si）的单光子雪崩二极管（SPAD）传感器阵列，像素尺寸为400 x 300，像素间距为10 μm。该传感器专为低功耗增强现实/假造现实（AR/VR）应用而筹办，可在室温下责任。在30帧/秒的帧速率下，其功耗仅为26 mW。在1300 nm的领受波长下，其光子探伤遵循（PDE）为5.1%。在10 m的测量距离下（选定平直航行时代法），其距离测量舛讹小于3 cm。该传感用具有可编程宏像素和片上直方图功能，可选定性地激活多达500个宏像素。
三星电子将发布一款低噪声的1200万像素等效全局快门CMOS数字图像传感器。该传感器选定2x2阵列，四个像素共用一个模数移动器（ADC）。像素间距为1.5μm。四相锯齿形读出以固定隔断对四个像素进行数字化。该传感器内置理会抵偿功能。其噪声水平极低，平均固定模式噪声（FPN）为0.65e-rms，赶紧噪声为1.09e-rms（模拟增益16）。
SmartSens Technology 拓荒了一款像素间距为 0.61μm、像素数达 2 亿的 CMOS 图像传感器。该传感器专为高清视频录制而筹办，选定 40nm 工艺芯片与 22nm 工艺芯片堆叠而成，并选定背照式筹办。它诈欺了双移动增益 (DCG) 读出架构和 2x2 像素分享架构，移动增益为 275μV/e-（非常于 0.7e- 的读出噪声）。该传感器守旧无理会伪影的高动态界限 (HDR) 图像合成，并可完毕 60 帧/秒的 8K 视频录制。
英伟达、微软和其他公司应邀发扮演讲，玄虚东说念主工智能芯片背后的本领。
临了一场会议将邀请行家就东说念主工智能芯片关联主题发扮演讲。在题为“东说念主工智能芯片重心发布”的会议中，拓荒东说念主员将对东说念主工智能芯片进行本领玄虚。会议共安排了四场演讲。
当先，NVIDIA 将玄虚其用于桌面 AI 超等计算机 DGX 的 GB10 处理器。该 CPU 芯片包含 20 个 Armv9.2 中枢，并集成了一颗专为桌面应用筹办的 Blackwell 集成显卡 (iGPU) 芯片，封装于统一芯片内。该集成显卡包含第五代 Tensor 中枢、第四代 RT（明后跟踪）中枢以及 24MB 二级缓存。其计算性能在 FP32 模式下为 31 TFLOPS，在 FP4 模式下为 1 PFLOPS。两颗芯片均选定台积电 (TSMC) 的 3nm 工艺制造。
接下来，意法半导体玄虚了STM32N6系列微结果器，该系列微结果器集成了Arm Cortex-M55 CPU和意法半导体自主研发的神经网罗处理单位（Neural-ART NPU）。该系列微结果器面向边际东说念主工智能应用。1GHz的Neural-ART NPU完毕了600GOPS和3TOPS/W的性能。此外，还有一个协处理器不错加快图形/视频/图像处理，并针对非矩形显现器进行优化。该系列微结果器选定16nm FinFET工艺制造。
接下来，韩国 Mobilint 公司将展示其通过软硬件协同筹办拓荒的用于 AI 推理加快器的通用 NPU 内核。土产货部署的加快器“ARIES”集成了两个 4 核 NPU 集群，选定三星 14nm 工艺制造，芯单方面积为 181 泛泛毫米。建筑端加快器“REGULUS”选定单核竖立，选定台积电 12nm 工艺制造，芯单方面积相对较小，为 50 泛泛毫米。
临了，微软将发挥注解其东说念主工智能加快器“MAIA”（可能是MAIA 100）的架构和完毕口头。他们将商议光罩尺寸（约800泛泛毫米）的封装本领、750瓦功率的供电和散热机制、物理筹办顺次和考据顺次。
（开端：编译自pcwatch）
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